Glavne kotirane kompanije u industriji: Trenutne domaće kotirane kompanije u industriji poluprovodnika treće generacije uglavnom uključuju China Resources Micro (688396), Sanan Optoelectronics (600703), Silan Micro (600460), Wingtech (600745), Xinjie Energy (605111) , Roshow Technology (002617), Star Semiconductor (603290) itd.
Osnovni podaci ovog članka: klasifikacija poluprovodnika treće generacije, SiC, GaN elektronska snaga i GaN izlazna vrijednost mikrovalne radio frekvencije, SiC, GaN elektronska snaga i GaN mikrovalna radiofrekventna tržišna skala
Pregled industrije
1, definicija
Poluprovodnički materijali sa širokim razmakom predstavljeni silicijum karbidom (SiC), galijum nitridom (GaN), cink oksidom (ZnO), dijamantom i aluminijum nitridom (AIN) nazivaju se poluprovodnički materijali treće generacije i trenutno su relativno zreli. To su silicijum karbid (SiC) i galijum nitrid (GaN).
U poređenju sa tradicionalnim materijalima, poluvodički materijali treće generacije su pogodniji za proizvodnju visokofrekventnih uređaja i uređaja velike snage koji su otporni na visoke temperature, visoke napone i velike struje. Zbog toga poluprovodnici treće generacije napravljeni na njihovoj osnovi imaju širi pojas, mnoge prednosti poput većeg električnog polja, veće frekvencije toplotne provodljivosti i veće otpornosti na zračenje se široko koriste u okruženjima kao što su visoka temperatura, visoka frekvencija, i jako zračenje.
Poluprovodnici treće generacije uglavnom uključuju silicijum karbid (SiC), aluminijum nitrid (AlN), galijum nitrid (GaN), dijamant i cink oksid (ZnO). Među njima, silicijum karbid (SiC) i galijum nitrid (GaN) se nazivaju zajedno. To je"dvostruki heroj" poluvodičkih materijala treće generacije i tipičan predstavnik treće generacije poluvodičkih materijala.
2. Analiza industrijskog lanca: industrijski lanac uključuje više karika
Lanac industrije poluvodiča treće generacije podijeljen je na uzvodnu opskrbu sirovinama, srednju proizvodnju poluvodiča treće generacije i nizvodne veze treće generacije poluvodičkih uređaja. Prethodne sirovine uključuju supstrate i epitaksijalne pločice; srednji tok uključuje verziju treće generacije olimpijskog dizajna karoserije, proizvodnju i pakovanje i testiranje pločica; nizvodno je aplikacija za poluvodičke uređaje treće generacije, uključujući mikrotalasne radiofrekventne uređaje, energetske elektronske uređaje i optoelektronske uređaje. Industrijski lanac kineske' industrije poluvodiča treće generacije je sljedeći:
Domaća preduzeća su uključena u sve karike treće generacije industrijskog lanca. Domaći proizvođači koji se bave podlogom uglavnom koriste Roshow Technology, Sanan Optoelectronics, Tianke Heda, Shandong Tianyue, Weiwei Technology, Keheng Crystal, Gallium Aluminum Optoelectronics, itd.; proizvođači koji se bave proizvodnjom epitaksijalnih pločica uglavnom uključuju Hantian Tiancheng, Dongguan Tianyu, Jingzhan Semiconductor, Joneng Jingyuan, Innosecco, itd. Suzhou Energy News, Sichuan Yifeng Electronics, Suzhou Institute of Nanotechnology, Kineska akademija nauka, itd. postoje mnogi proizvođači poluvodičkih uređaja treće generacije, uključujući BYD Semiconductor, Wingtech, China Resources Micro, Silan Micro, Star Semiconductor, Yangjie Technology, Tyco Tianrun i tako dalje.
Proces razvoja industrije: vrijeme uspona je relativno kratko
Kineski poluprovodnici treće generacije pojavljuju se u relativno kratkom vremenskom periodu. 2013. godine, plan Ministarstva nauke i tehnologije 863 prvi put je naveo industriju poluprovodnika treće generacije kao industriju strateškog razvoja za nacionalni rat.
U 2016. godini, prvoj godini razvoja treće generacije poluprovodnika, Nacionalna grupa za razvoj nove industrije Državnog vijeća navela je treću industriju poluvodiča kao fokus razvoja. Domaće kompanije su proširile svoja ulaganja u treće poluprovodničke R&D projekte, a industrija je ušla u period brzog razvoja.
U januaru 2018. CRRC Times Electric izgradio je prvu proizvodnu liniju od 6 inča silicijum karbida u Kini; 2018. godine Tyco Tianrun je izgradio prvu domaću proizvodnu liniju uređaja od silicijum karbida; u septembru 2019. Sanan Integration je završio domaću proizvodnu liniju. Prva linija za proizvodnju epitaksijalnih čipova od 6 inča galijum nitrida (GaN) i galijum arsenida (GaAs) puštena je u masovnu proizvodnju. U julu 2020. godine, China Resources Micro najavio je službenu masovnu proizvodnju prve 6-inčne komercijalne SiC proizvodne linije za proizvodnju vafla u Kini'.
U septembru 2020. godine, poluvodič treće generacije upisan je u"14. petogodišnji plan", a industrija je gurnuta u prvi plan.
Status razvoja industrije
1. Skala vrijednosti izlaza raste u odnosu na trend
S razvojem tržišta poput 5G i novih energetskih vozila, potražnja za poluvodičima treće generacije zadržala je brz rast. U isto vrijeme, utjecaj kinesko-američkog trgovinskog rata donio je razvojne prilike za domaće poluvodičke materijale treće generacije. U 2020. godini, u pozadini slabog rasta domaće velike industrije poluprovodnika, industrija poluprovodnika treće generacije moje zemlje' će ostvariti rast u suprotnosti s trendom.
U 2020., ukupna izlazna vrijednost industrije poluvodiča treće generacije moje zemlje &, elektronike električne energije i radio frekvencije, premašit će 10 milijardi juana, što je povećanje od 69,5% na godišnjem nivou u odnosu na 2019.
Među njima, izlazna vrijednost SiC i GaN elektronske snage dosegla je 4,47 milijardi juana, što je povećanje od 54% u odnosu na prethodnu godinu; izlazna vrijednost GaN mikrovalne radio frekvencije dostigla je 6,08 milijardi juana, što je povećanje od 80,3% u odnosu na prethodnu godinu.
2, proizvodni kapacitet je značajno povećan, ali je ponuda još uvijek nedovoljna
Prema podacima CASA-e, do kraja 2020. godine, u mojoj zemlji'SiC vodljivi supstrat pretvoren u 4-inčni proizvodni kapacitet je oko 400.000 komada godišnje, SiC-on-SiC epitaksijalne pločice pretvorene su u 6-inčni proizvodni kapacitet je oko 220.000 komada/godišnje, SiC-onSiC uređaji/moduli (kompatibilni sa 4/6 inča) Proizvodni kapacitet je oko 260.000 komada/godišnje.
Kapacitet proizvodnje GaN-on-Si epitaksijalnih pločica pretvorenih 6-inčnih je oko 280.000 komada godišnje, a GaN-on-Si uređaja/modula pretvorenih 6-inčnih proizvodnih kapaciteta je približno 220.000 komada godišnje.
Međutim, s razvojem novih energetskih vozila, 5G, PD brzog punjenja i drugih tržišta, domaći poluvodički proizvodi treće generacije' u mojoj zemlji ne mogu zadovoljiti ogromnu potražnju na tržištu. Trenutno je više od 80% proizvoda iz uvoza. Može se vidjeti da poluvodički proizvodi treće generacije imaju veliki domaći zamjenski prostor.
3. Tržišna skala energetskih elektronskih uređaja je blizu 5 milijardi juana
Od 2017. do 2020. godine, Kina's SiC i GaN tržište aplikacija za energetske elektronske uređaje brzo je raslo. U 2020., tržište primjene SiC i GaN energetskih elektronskih uređaja dostići će 4,68 milijardi juana, što je povećanje od 90% u odnosu na prethodnu godinu.
U 2020., veličina tržišta poluvodičkih diskretnih uređaja u mojoj zemlji&je oko 300,26 milijardi juana, a stopa penetracije SiC i GaN energetskih elektronskih uređaja je oko 1,56%.
Trenutno se GaN uglavnom koristi u oblastima radio frekvencije i brzog punjenja. SiC se uglavnom koristi u oblastima novih energetskih vozila i gomila za punjenje. moja zemlja je najveće svjetsko tržište novih energetskih vozila. Penetracija poluvodičkih uređaja treće generacije u području novih energetskih gomila za punjenje vozila je brža nego na tržištu vozila i iznosi 38%; potrošnja napajanja (PFC) čine 22%; fotonaponski invertori čine 15%; industrijska i komercijalna napajanja, UPS neprekidno napajanje, izvori brzog punjenja i industrijski motori su činili 6%, 3%, 3% i 1% respektivno.
U 2020, veličina tržišta GaN uređaja za mikrotalasnu radio frekvenciju u mojoj zemlji&će iznositi približno 6,61 milijardu juana, što predstavlja povećanje od 57,2% u odnosu na prethodnu godinu. Među njima, skala vojnih i svemirskih aplikacija u obrambenoj industriji iznosi 3,48 milijardi juana, što je postalo glavni pokretački faktor za GaN radio frekvenciju.
Nacionalna odbrambena, vojna i svemirska aplikacija su glavna područja primjene GaN mikrovalnih radiofrekventnih uređaja moje zemlje'. Veličina tržišta u 2020. iznosit će 53% cjelokupnog tržišta GaN radio frekvencijskih uređaja; slijedi bežična infrastruktura, sa 36% tržišta nizvodno.
Obrazac konkurencije u industriji
1. Regionalni obrazac konkurencije: Provincija Jiangsu ima najreprezentativnije poluprovodničke kompanije treće generacije
Trenutno su poluprovodnici treće generacije moje zemlje&u početku formirali pet ključnih razvojnih područja, uključujući Peking-Tianjin-Hebei-Lu, deltu rijeke Jangce, deltu rijeke Biser, deltu Fujian i Srednji zapad.
Iz perspektive regionalne distribucije treće generacije kompanija u lancu industrije poluprovodnika moje zemlje', kompanije lanca industrije poluprovodničke industrije treće generacije distribuirane su u većini provincija širom zemlje. Među njima, provincija Henan ima najveći broj kompanija za proizvodnju poluprovodnika treće generacije, dok je broj kompanija u Šandongu, Jiangsuu i Gansuu relativno koncentrisan.
Iz perspektive distribucije reprezentativnih kompanija, provincija Jiangsu ima najreprezentativnije poluprovodničke kompanije treće generacije, kao što su Suzhou Navitas, Jingzhan Semiconductor i Innosecco. Istovremeno, reprezentativne kompanije u Guangdongu i Šandongu takođe imaju više reprezentativnih kompanija.
2. Korporativna konkurencija: glavne kompanije ubrzavaju svoju ekspanziju
Nakon početnog razvoja, poluvodiči treće generacije se brzo primjenjuju u novim energetskim vozilima, 5G baznim stanicama, PD brzom punjenju i drugim poljima, a tržišna skala je brzo rasla. Istovremeno, konkurencija unutar industrije postepeno se intenzivirala. Kako bi zadovoljile potražnju na tržištu i zauzele tržišnu poziciju, glavne domaće poluprovodničke kompanije su ojačale svoj raspored u industriji poluprovodnika treće generacije i proširile proizvodne kapacitete treće generacije poluprovodnika. Među njima, reprezentativne glavne kompanije uključuju San'an Optoelectronics, CLP 55 i Tyco Tianrun.
Perspektive razvoja industrije i prognoza trendova
1. Očekuje se da će obim industrije premašiti 50 milijardi juana 2025. godine
Poluprovodnik treće generacije je upisan u"14. petogodišnji plan". U kontekstu podrške nacionalnim politikama i rasta tražnje nizvodno, procjenjuje se da će do 2021.-2025. godine, tržište aplikacija SiC i GaN energetskih elektronskih uređaja moje zemlje' rasti po složenoj godišnjoj stopi rasta od 45% na skoro 30 milijardi juana 2025. godine; GaN mikrotalasna veličina tržišta radio-frekventnih uređaja će porasti na 20,5 milijardi juana u 2025. sa kombinovanom godišnjom stopom rasta od 25,4%. Očekuje se da će ukupna veličina tržišta poluprovodnika treće generacije premašiti 50 milijardi juana 2025.
2, proces lokalizacije će se ubrzati
U budućnosti, u smislu trendova tržišne konkurencije, stopa lokalizacije industrije poluprovodnika treće generacije moje zemlje&će se produbiti; u smislu trendova razvoja proizvoda, potražnja za SiC će se povećati; u smislu trendova razvoja tehnologije, problemi kao što je velika Si-bazirana GaN epitaksija će se povećati. Biće napretka.